各地(dì)级以上市(shì)人民政府，省政府各部門(mén)、各直属机构：

《广东省加快半导体及集成电路(lù)产业发展的(de)若干意见》已经省人民政府同意，现印发给你们，請(qǐng)认真贯彻执行(xíng)。实施过程中遇到的(de)问题，請(qǐng)径向省发展改革委反映。

广东省人民政府办公厅

2020年2月3日

广东省加快半导体及集成电路(lù)产业发展的(de)

若干意见

為(wèi)贯彻落实《粤港澳大湾區(qū)发展规划纲要》和国家关于集成电路(lù)产业发展的(de)决策部署，加快我(wǒ)省半导体及集成电路(lù)产业发展，提升产业核心竞争力，结合我(wǒ)省实际，现提出以下意见。

一、总体要求

以习近(jìn)平新(xīn)时代中国特色社會(huì)主义思想為(wèi)指导，全面贯彻落实党的(de)十九大和十九届二中、三中、四中全會(huì)精神，深入贯彻习近(jìn)平总書(shū)记对广东重要讲话和重要指示批示精神，充分发挥市(shì)场在(zài)資(zī)源配置中的(de)决定性作用(yòng)，更好(hǎo)(hǎo)发挥政府作用(yòng)，抓住建设粤港澳大湾區(qū)国际科(kē)技创新(xīn)中心的(de)有利机遇，坚持市(shì)场主导、政府引导，需求牵引、协同创新(xīn)，错位发展、适度集聚，积极发展一批半导体及集成电路(lù)产业重大项目，补齐产业链短板，提升研发创新(xīn)能力，扩大开放合作，优化(huà)(huà)产业创新(xīn)生态环境和终端产品应用(yòng)环境，增强产业整体竞争力，把珠三角地(dì)區(qū)建设成為(wèi)具有国际影响力的(de)半导体及集成电路(lù)产业集聚區(qū)，為(wèi)推动制造业高(gāo)质量发展提供有力支撑。

二、优化(huà)(huà)发展设計(jì)业，提升产业优势

（一）芯片设計(jì)重点发展方向。重点突破储存芯片、处理(lǐ)器(qì)等高(gāo)端通用(yòng)芯片设計(jì)，大力支持射頻(pín)芯片、传感器(qì)芯片、基带芯片、交换芯片、光通信芯片、显示驱动芯片、RISC-V（基于精简指令集原则的(de)开源指令集架构）芯片、物(wù)联网智能硬件(jiàn)核心芯片、车规级AI（人工智能）芯片等专用(yòng)芯片的(de)开发设計(jì)。大力发展第三代半导体芯片，前瞻布局毫米波芯片、太赫兹芯片等。

（二）打造芯片设計(jì)高(gāo)地(dì)。引导设計(jì)企业上规模上水(shuǐ)平，提升设計(jì)产业集聚度，大力发展自主品牌产品，在(zài)珠三角地(dì)區(qū)建设具有全球竞争力的(de)芯片设計(jì)和软件(jiàn)开发集聚區(qū)。到2025年，形成一批销售收入超10亿元和3家以上销售收入超100亿元的(de)设計(jì)企业，EDA（电子(zi)设計(jì)自动化(huà)(huà)）软件(jiàn)实现国产化(huà)(huà)（部分领域达到国际先进水(shuǐ)平），高(gāo)端通用(yòng)芯片设計(jì)能力明显提升，芯片设計(jì)水(shuǐ)平整体进入国际先进行(xíng)列。

三、重点发展特色工艺制造，补齐产业短板

（三）制造业重点发展方向。重点推进模拟及數(shù)模混合芯片生产制造，满足未来射頻(pín)芯片、功率半导体和电源管理(lǐ)芯片、显示驱动芯片等产品市(shì)场需求的(de)快速增長(cháng)。优先发展特色工艺制程芯片制造，支持先进制程芯片制造，缩小与国际先进水(shuǐ)平的(de)差距。探索发展FDSOI等新(xīn)技术路(lù)径。大力发展MOSFET（金属氧化(huà)(huà)物(wù)半导体场效应晶体管）、IGBT（大功率绝缘栅双极型晶体管）、高(gāo)端传感器(qì)、MEMS（微机电系统）、大功率LED器(qì)件(jiàn)、半导体激光器(qì)等产品。支持氮化(huà)(huà)镓、碳化(huà)(huà)硅、砷化(huà)(huà)镓、磷化(huà)(huà)铟等化(huà)(huà)合物(wù)半导体器(qì)件(jiàn)和模块的(de)研发制造。

（四）加快布局芯片制造项目。推动现有6英寸及以上晶圆生产线提升技术水(shuǐ)平、对接市(shì)场应用(yòng)。大力支持技术先进的(de)IDM（集设計(jì)、制造、封装、测试及销售一体化(huà)(huà)的(de)组织模式）企业和晶圆代工企业在(zài)珠三角布局研发中心、生产中心和运营中心，建设晶圆生产线。到2025年，建成较大规模特色工艺制程生产线，积极布局建设先进工艺制程生产线。

四、积极发展封测、设备及材料，完善产业链条

（五）封测重点发展方向。大力发展晶圆级封装、系统级封装、凸块、倒装、硅通孔、面板级扇出型封装、三维封装、真空封装等先进封装技术。加快IGBT模块等功率器(qì)件(jiàn)封装技术的(de)研发和产业化(huà)(huà)。大力引进先进封装测试生产线和技术研发中心，支持现有封测企业开展兼并重组，紧贴市(shì)场需求加快封装测试工艺技术升级和产能提升。

（六）设备重点发展方向。积极推进缺陷检测设备、激光加工设备等整机设备，以及真空零部件(jiàn)、高(gāo)精密陶瓷零部件(jiàn)、射頻(pín)电源、投影镜头等设备关键零部件(jiàn)的(de)研发生产。大力引进国內(nèi)外沉积设备、刻蚀设备、等離(lí)子(zi)清洗机、薄膜制备设备等领域的(de)龙头企业。支持高(gāo)等學(xué)校和科(kē)研机构开展设备和零部件(jiàn)技术研发，引导我(wǒ)省有基础的(de)企业积极布局设备及零部件(jiàn)制造项目。

（七）材料及关键电子(zi)元器(qì)件(jiàn)重点发展方向。大力发展氮化(huà)(huà)镓、碳化(huà)(huà)硅、氧化(huà)(huà)锌、氧化(huà)(huà)镓、氮化(huà)(huà)铝、金刚石等第三代半导体材料，积极发展电子(zi)级多晶硅及硅片制造，加快氟聚酰亚胺、光刻胶、高(gāo)纯度化(huà)(huà)學(xué)试剂、电子(zi)气体、碳基、高(gāo)密度封装基板等材料研发生产。大力支持纳米级陶瓷粉体、微波陶瓷粉体、功能性金属粉体、贱金属浆料等元器(qì)件(jiàn)关键材料的(de)研发及产业化(huà)(huà)。推动电子(zi)元器(qì)件(jiàn)企业与整机厂联合开展核心技术攻关，提升我(wǒ)省高(gāo)端片式电容器(qì)、电感器(qì)、电阻器(qì)等元器(qì)件(jiàn)产品市(shì)场占有率。

五、提升研发创新(xīn)能力

（八）加强关键核心技术研发。省科(kē)技创新(xīn)战略专项資(zī)金每年投入不(bù)低于10亿元用(yòng)于支持集成电路(lù)领域技术创新(xīn)。激励半导体及集成电路(lù)企业加大研发投入，对于研发费用(yòng)占销售收入不(bù)低于5%的(de)企业，在(zài)全面执行(xíng)国家研发费用(yòng)税前加計(jì)扣除75%政策的(de)基础上，鼓励有条件(jiàn)的(de)市(shì)对其增按不(bù)超过25%研发费用(yòng)税前加計(jì)扣除标准给予奖补，省科(kē)技创新(xīn)战略专项資(zī)金可在(zài)市(shì)奖补的(de)基础上按1∶1给予事后再奖励。围绕EDA工具、芯片架构、优势芯片产品、特色工艺制程、第三代半导体、生产设备核心部件(jiàn)、先进封装技术、芯片评价分析技术等方向开展关键核心技术攻关，省科(kē)技创新(xīn)战略专项資(zī)金设立研发重大专项予以支持。对于风险较高(gāo)、不(bù)确定因素较多的(de)关键领域科(kē)技攻关，适当支持多种技术路(lù)线的(de)探索，加强技术储备。改革省科(kē)技创新(xīn)战略专项資(zī)金项目立项和组织实施方式，强化(huà)(huà)成果导向，试行(xíng)项目招标悬赏制度，推动项目经理(lǐ)人管理(lǐ)制度和“裡(lǐ)程碑”考核机制。我(wǒ)省高(gāo)等學(xué)校、科(kē)研机构以及集成电路(lù)设計(jì)企业开展拥有自主知识产权的(de)28nm及以下或具备较大竞争优势的(de)芯片流片，省促进经济高(gāo)质量发展专项資(zī)金对产品量产前首轮流片费用(yòng)按不(bù)超过30%给予奖补，同一主体每年奖补的(de)研发資(zī)金不(bù)超过1000万元。

（九）建设产业创新(xīn)和公共服(fú)務(wù)平台。加快发展芯片设計(jì)公共服(fú)務(wù)平台，推动有条件(jiàn)的(de)高(gāo)等學(xué)校、科(kē)研机构和企业联合建设晶圆中试生产线，提升EDA工具、SoC（系统级芯片）设計(jì)服(fú)務(wù)、MPW（多项目晶圆加工）、部件(jiàn)及终端产品模拟、测试验证等服(fú)務(wù)功能。支持高(gāo)等學(xué)校、科(kē)研机构和检测验证机构建设集成电路(lù)产品质量测评、环境适应性评价、安全可靠性认证等方面的(de)公共服(fú)務(wù)平台。积极创造条件(jiàn)建设半导体及集成电路(lù)领域的(de)国家级和省级创新(xīn)平台。省區(qū)域协调发展战略专项資(zī)金对国家级、省级公共服(fú)務(wù)平台和创新(xīn)平台建设按不(bù)超过其固定資(zī)产投資(zī)的(de)30%给予支持，单個(gè)项目支持额度不(bù)超过2000万元。到2025年，新(xīn)组建15個(gè)以上半导体及集成电路(lù)领域的(de)省级重点实验室、工程实验室等。建立和完善考核评价机制，对国家级和省级创新(xīn)平台、公共服(fú)務(wù)平台给予持续支持。鼓励企业、高(gāo)等學(xué)校、科(kē)研机构等合作成立产學(xué)研技术创新(xīn)联盟或联合建设（新(xīn)型）研发机构。鼓励机构和园區(qū)申報(bào)国家“芯火(huǒ)”双创基地(dì)（平台）、国家集成电路(lù)产學(xué)研融合协同育人平台。

（十）强化(huà)(huà)知识产权保护和应用(yòng)。争取国家支持在(zài)我(wǒ)省设立面向半导体及集成电路(lù)产业的(de)知识产权保护中心，建立专利预审、确权快速通道(dào)，探索协同预审模式，缩短发明专利授权周期。探索在(zài)重点国家和地(dì)區(qū)建设广东省半导体及集成电路(lù)产业知识产权海外维权援助中心或援助服(fú)務(wù)点。对集成电路(lù)领域重复侵权、恶意侵权等严重侵犯知识产权行(xíng)為(wèi)，探索建立惩罚性赔偿机制。积极开展半导体及集成电路(lù)领域的(de)专利分析和导航，完善专利预警机制。对软件(jiàn)和集成电路(lù)企业向境外企业购买技术使用(yòng)权或所有权，所购技术符合国家《鼓励进口技术和产品目录》的(de)，积极争取国家进口贴息支持。支持软件(jiàn)和集成电路(lù)企业加强发明专利、商标、软件(jiàn)著作权、集成电路(lù)布局设計(jì)专有权等知识产权的(de)保护和应用(yòng)。支持开展集成电路(lù)领域知识产权运营。

六、强化(huà)(huà)人才队伍支撑

（十一）建立健全人才培养体系。加强省內(nèi)高(gāo)等學(xué)校微电子(zi)、信息科(kē)學(xué)、計(jì)算机科(kē)學(xué)、应用(yòng)數(shù)學(xué)、化(huà)(huà)學(xué)工艺、材料科(kē)學(xué)与工程、自动化(huà)(huà)、人工智能等相关专业和學(xué)科(kē)建设。推动我(wǒ)省有条件(jiàn)的(de)高(gāo)等學(xué)校建设国家示范性微电子(zi)學(xué)院。从2020年开始，扩大微电子(zi)专业招生规模；积极向国家争取增加高(gāo)校微电子(zi)专业研究生招生計(jì)划。省內(nèi)高(gāo)等學(xué)校通信工程、計(jì)算机、信息安全等电子(zi)系统专业开设集成电路(lù)设計(jì)相关课程，支持微电子(zi)专业开设软件(jiàn)工程相关课程，加大复合型人才培养力度。鼓励国內(nèi)领先集成电路(lù)企业与高(gāo)校合编部分专业教材，鼓励企业人才走进高(gāo)校教授部分选修专业课程。省基础与应用(yòng)基础研究基金加大对集成电路(lù)领域博士和博士后的(de)支持，安排一定比例的(de)資(zī)金专项資(zī)助未获得省部级以上科(kē)研项目資(zī)助的(de)博士和博士后。鼓励建设集成电路(lù)公共职业技能培训平台。支持企业与高(gāo)等學(xué)校建立联合培养机制，共建集成电路(lù)學(xué)生实践教學(xué)基地(dì)；本科(kē)及以上學(xué)历學(xué)生在(zài)基地(dì)实践不(bù)少于3個(gè)月的(de)，省教育发展专项資(zī)金按照(zhào)每人500元/月标准对學(xué)生给予补贴。支持有条件(jiàn)的(de)高(gāo)校派出集成电路(lù)方向的(de)教學(xué)科(kē)研人员出国（境）进修或培训。推动高(gāo)职院校加强集成电路(lù)相关专业建设，鼓励企业联合职业院校培养技术能手。

（十二）强化(huà)(huà)人才政策支持。组织开展集成电路(lù)产业人才开发路(lù)线图研究。省相关高(gāo)层次人才引进計(jì)划将集成电路(lù)产业列入重点支持方向，加快从全球靶向引进高(gāo)端领军人才、创新(xīn)团队和管理(lǐ)团队。省相关项目、人才评审专家库要建立集成电路(lù)专家分库，不(bù)断扩充国內(nèi)外高(gāo)水(shuǐ)平专家。对于院士等人才简化(huà)(huà)引进时的(de)评审流程。鼓励采用(yòng)兼职、短期聘用(yòng)、定期服(fú)務(wù)等方式，吸引知名集成电路(lù)人才来我(wǒ)省工作。省、市(shì)制定相关政策时，应兼顾高(gāo)端领军人才、中坚骨干力量、技术能手等多层次人才需求，适当放宽人才认定标准。鼓励各市(shì)在(zài)户籍、個(gè)税奖励（返还）、住房(fáng)保障、醫(yī)疗保障、子(zi)女(nǚ)就學(xué)、创新(xīn)创业等方面对集成电路(lù)人才给予优先支持。充分发挥港澳青年创新(xīn)创业基地(dì)的(de)平台优势，支持举办集成电路(lù)相关赛事，发掘后备人才。

七、推动产业合作发展

（十三）促进产业链融合发展。促进产业链上下游协作配套，积极探索设計(jì)、制造等环节更紧密的(de)合作模式。支持高(gāo)校与芯片制造厂商合作，利用(yòng)集成电路(lù)工艺平台，进行(xíng)相关集成电路(lù)IP核开发与验证的(de)教學(xué)培训。支持终端应用(yòng)龙头企业通过數(shù)据共享、人才引进和培养、核心技术攻关、产品优先应用(yòng)等合作方式培育国內(nèi)高(gāo)水(shuǐ)平供应链，带动原材料、核心电子(zi)元器(qì)件(jiàn)、设备、关键软件(jiàn)等上下游配套企业协同发展。

（十四）加快自主关键技术和产品推广应用(yòng)。通过终端应用(yòng)牵引芯片发展，聚焦5G、人工智能技术，面向通信、超高(gāo)清視(shì)頻(pín)、汽车、卫星应用(yòng)、工业互联、智能家居、智慧醫(yī)疗、电子(zi)办公设备等重大应用(yòng)，组织开展“芯片-整机”交流对接活动。加强政策引导和产品宣传，推动技术先进、自主安全可控的(de)芯片、基础软件(jiàn)及整机系统在(zài)经济社會(huì)重点领域的(de)应用(yòng)。推动高(gāo)校在(zài)教學(xué)实践中使用(yòng)国产教材教具。推动芯片企业在(zài)新(xīn)产品开发中，应用(yòng)国家核高(gāo)基（核心电子(zi)器(qì)件(jiàn)、高(gāo)端通用(yòng)芯片及基础软件(jiàn)产品）等专项的(de)成果。

（十五）持续深化(huà)(huà)与境外合作。加强与境外高(gāo)等學(xué)校在(zài)人才培养、技术研发方面的(de)合作，积极推动境外高(gāo)校与我(wǒ)省企业联合培养集成电路(lù)相关专业毕业生。积极开展与集成电路(lù)国家重点实验室等境外高(gāo)端创新(xīn)平台的(de)研发合作，支持境外高(gāo)端创新(xīn)平台在(zài)我(wǒ)省设分部。支持省內(nèi)高(gāo)校与境外一流高(gāo)校合作共建半导体及集成电路(lù)实验室。支持企业委托或联合境外高(gāo)校、科(kē)研机构开展芯片相关技术攻关。充分发挥港澳对接全球的(de)窗口作用(yòng)和金融等高(gāo)端服(fú)務(wù)业发达的(de)优势，强化(huà)(huà)联合招商引資(zī)力度，积极引进境外知名企业和研发机构建设高(gāo)水(shuǐ)平的(de)研发机构、运营中心和生产基地(dì)等。我(wǒ)省企业收购境外半导体及集成电路(lù)企业（含研发中心）、投資(zī)设立海外研发基地(dì)，省促进经济发展专项資(zī)金对符合条件(jiàn)的(de)给予大力支持。

（十六）搭建交流协作平台。培育和发展集成电路(lù)行(xíng)业协會(huì)等中介组织。鼓励整机系统厂商、集成电路(lù)企业共建产业联盟，建立产业链利益共同体，打造整机系统与集成电路(lù)产品共生的(de)产业生态环境。相关协會(huì)或联盟应及时将关键技术（产品）突破、重大项目建设、重点企业收购并购等行(xíng)业重大資(zī)讯反馈政府部門(mén)。支持举办集成电路(lù)方面的(de)竞赛、行(xíng)业會(huì)議(yì)等活动，推动人才汇聚、技术创新(xīn)和交流推广，营造集成电路(lù)产业发展的(de)良好(hǎo)(hǎo)氛围。

八、保障措施

（十七）加强组织领导。成立省半导体及集成电路(lù)产业发展领导小组（以下简称领导小组），由省政府主要领导任组長(cháng)、分管领导任副组長(cháng)，成员包括有关地(dì)级以上市(shì)人民政府和省发展改革委、教育厅、科(kē)技厅、工业和信息化(huà)(huà)厅、财政厅、人力資(zī)源社會(huì)保障厅、自然資(zī)源厅、商務(wù)厅、市(shì)场监管局、地(dì)方金融监管局、税務(wù)局、海关总署广东分署等单位主要负责同志。领导小组负责统筹推进全省半导体及集成电路(lù)产业发展，整合各方資(zī)源，协调解决重大问题。领导小组办公室设在(zài)省发展改革委，负责日常工作。领导小组下设半导体及集成电路(lù)重大项目推进工作专班，引入专业团队，建立重大项目投資(zī)决策机制和快速落地(dì)联动响应机制。成立由有关方面专家组成的(de)广东省半导体及集成电路(lù)产业发展专家咨询委员會(huì)，对产业发展的(de)重大问题和政策措施开展调查研究，进行(xíng)论证评估，提供咨询建議(yì)。

（十八）加大财政支持力度。设立省半导体及集成电路(lù)产业投資(zī)基金，鼓励产业基金投向具有重要促进作用(yòng)的(de)制造、设計(jì)、封装测试等项目。省區(qū)域协调发展战略专项資(zī)金、促进经济高(gāo)质量发展专项資(zī)金、科(kē)技创新(xīn)战略专项資(zī)金、教育发展专项資(zī)金、引进人才专项資(zī)金、促进就业创业专项資(zī)金、促进经济发展专项資(zī)金等专项資(zī)金的(de)安排要重点支持半导体及集成电路(lù)产业发展。对于半导体及集成电路(lù)领域的(de)基础研究和应用(yòng)基础研究、突破关键核心技术或解决“卡脖子(zi)”问题的(de)重大研发项目，省级财政给予持续支持。鼓励有条件(jiàn)的(de)地(dì)市(shì)设立集成电路(lù)产业投資(zī)基金，出台产业扶持政策。

（十九）加大金融支持力度。积极争取国家集成电路(lù)产业投資(zī)基金、政策性銀(yín)行(xíng)对我(wǒ)省半导体及集成电路(lù)重大项目的(de)資(zī)金支持。对由我(wǒ)省融資(zī)担保机构担保的(de)、集成电路(lù)龙头企业供应链上的(de)中小微企业贷款融資(zī)和债券融資(zī)业務(wù)进行(xíng)再担保，当发生代偿时，探索由政府和担保公司(sī)按一定比例分摊风险。鼓励各类金融机构加大对半导体及集成电路(lù)企业的(de)信贷支持力度，优先支持金融机构推出符合集成电路(lù)设計(jì)等轻資(zī)产企业融資(zī)需求的(de)信贷创新(xīn)产品，积极探索知识产权质押和融資(zī)租赁。鼓励各类创业投資(zī)和股权投資(zī)基金投資(zī)半导体及集成电路(lù)产业；各级政府可按其对半导体及集成电路(lù)项目投資(zī)金额，对基金管理(lǐ)人给予奖励。优先支持半导体及集成电路(lù)企业充分利用(yòng)国內(nèi)多层次資(zī)本市(shì)场和国（境）外資(zī)本市(shì)场融資(zī)。

（二十）支持园區(qū)和重大项目建设。推动半导体及集成电路(lù)产业适度集聚发展，高(gāo)标准建设一批产业基地(dì)和园區(qū)，省集成电路(lù)产业投資(zī)基金优先投向基地(dì)和园區(qū)內(nèi)的(de)项目。半导体及集成电路(lù)产业的(de)重大项目优先列入省重点建设项目計(jì)划，对晶圆制造项目用(yòng)地(dì)由省统筹安排。对投資(zī)额较大的(de)制造、设計(jì)、EDA软件(jiàn)、封测、装备及零部件(jiàn)等领域项目以及产业带动作用(yòng)明显的(de)国家级公共服(fú)務(wù)平台，可按照(zhào)“一事一議(yì)”的(de)方式予以支持。